一种深矽蚀刻方法

摘要

本发明提供了一种深矽蚀刻方法，包括如下步骤：非等向性蚀刻步骤，提供第一反应气体在电浆作用下对矽材料层进行蚀刻，并蚀刻至一定深度，以露出一蚀刻界面，蚀刻界面包括侧壁，第一反应气体包括蚀刻气体和侧壁保护气体，侧壁保护气体用于补偿蚀刻气体对该侧壁在横向方向上的蚀刻作用；侧壁保护步骤，提供第二反应气体，在电浆作用下，在蚀刻界面的侧壁形成侧壁保护层，附着在蚀刻界面的侧壁表面。本发明蚀刻速率快，并且制得的深矽通孔或者沟槽形貌好，深度深，不会产生侧壁呈现波浪形或者锥形的问题。