| 发明名称 |
使用心轴氧化制程形成鳍式场效电晶体半导体设备之鳍部的方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI511197 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
| 申请号 |
TW102140842 |
申请日期 |
2013.11.11 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
保雷克 伯罗米杰 真;班特利 史帝芬;雅各布 阿乔伊 |
| 分类号 |
H01L21/3065;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种形成装置的方法，系包含：形成具有侧壁的心轴结构；进行氧化制程，以氧化该心轴结构之至少一部份，藉此在该心轴结构的该等侧壁上定义氧化区；移除该等氧化区，藉此定义厚度减少之心轴结构；形成复数个鳍部于该厚度减少之心轴结构上；以及进行蚀刻制程，以选择性地移除该厚度减少之心轴结构的至少一部份，以便藉此暴露该等鳍部中之每一者的至少一部份。
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| 地址 |
美国 |
