发明名称 半导体元件之内连接结构
摘要
申请公布号 TWI511257 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW102127315 申请日期 2013.07.30
申请人 国立交通大学 发明人 陈冠能;张耀仁
分类号 H01L23/52;H01L21/768 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种半导体元件之内连接结构,架构于一半导体基材内,该内连接结构包括:一第一矽晶直通孔,贯穿该半导体基材;以及一第二矽晶直通孔,贯穿该半导体基材,该第一矽晶直通孔与该第二矽晶直通孔相互间隔一距离,其中,该第一矽晶直通孔与该第二矽晶直通孔相互电性绝缘,且该距离介于2μm以及40μm之间。
地址 新竹市大学路1001号