| 主权项 |
一种双沟渠式MOS电晶体元件，至少包含：复数个主沟渠各以一平台间隔形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-磊晶层内，该复数个主沟渠内具有主沟渠氧化层形成于该些主沟渠底部及侧壁；复数个凹陷区间隔形成于该些平台内，该些凹陷区内具有副沟渠闸极氧化层形成于该些凹陷区底部及侧壁，一导电型杂质掺杂的第二多晶矽层形成于该些凹陷区内形成该第二多晶矽层/该副沟渠闸极氧化层/该n-磊晶层组成的MOS结构，以做为闸极；一离子布植区布植于该些MOS结构两侧的平台下之该n-磊晶层内；一内连线介电层形成于该些第一多晶矽层、MOS结构及离子布植区上；复数个介层洞形成于该些内连线介电层中，其中，该些介层洞中的第一群组连接由该些主沟渠的第一多晶矽层及该些离子布植区所组成的源极，该些介层洞中的第二群组连接MOS结构以做为闸极；一内连线金属层形成于内金属介电层上及介层洞内，并被图案化以分别连接所述的第一群组介层，与所述的第二群组介层；一金属层形成于该n+半导体基板背面以做为汲极。 |
