非挥发性半导体记忆体装置

主权项

一种非挥发性半导体记忆体装置，其包括：记忆体胞阵列，其包含第一记忆体胞与第二记忆体胞；及控制电路，其经组态为在接收对应于该第一记忆体胞之写入命令及位址时，执行对该第一记忆体胞之写入操作，该写入操作包含第一操作及第二操作，该控制电路经组态为于程式化电压被施加至该第一记忆体胞之闸极之情形时执行该第一操作、及执行该第二操作使得无需自该非挥发性半导体记忆体装置之外部接收资料地，将上述第二记忆体胞之临限电压由负值改变至正值。