| 发明名称 |
硫族元素基底材料及制备这类材料之改良方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI510664 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
| 申请号 |
TW100109085 |
申请日期 |
2011.03.17 |
| 申请人 |
陶氏全球科技公司 |
发明人 |
格比 珍妮佛Ｅ;朗路易斯 马克Ｇ;尼尔森 罗伯特Ｔ |
| 分类号 |
C23C16/30;C23C16/56;H01L31/0216;H01L31/042 |
主分类号 |
C23C16/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种制造含硒之光吸收组成物的方法，其包含以下步骤：(a)在包含Se之一或多种硫族元素存在下溅镀至少一种靶材以形成含硒之光吸收剂的含Se之前驱体，其中该含Se之前驱体在整个该前驱体或在该前驱体之所选区域包括低于化学计算量之该包含Se之一或多种硫族元素；及(b)当该前驱体在整个该前驱体或在该前驱体所选区域包含Se时，在包含Se之一或多种硫族元素存在下，对该含Se之前驱体进行热处理，其硒化该前驱体以形成含硒之光吸收组成物。
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| 地址 |
美国 |
