半导体记忆体装置

主权项

一种半导体记忆体装置，其包含：一周期控制信号产生单元，其配置成回应于一程式化致能信号而产生一周期控制信号，其在一第一时间之后被启动；一第一写入控制码产生单元，其配置成回应于该程式化致能信号而产生在一第二时间内被循环更新的第一写入控制码，并回应于该周期控制信号而更新该等第一写入控制码；一第二写入控制码产生单元，其配置成回应于该程式化致能信号而产生一第二写入控制码；以及一资料写入单元，其配置成输出其大小对应于该等更新的第一写入控制码之一码组合的一第一程式化电流脉冲，或是输出其大小对应于该第二写入控制码的一第二程式化电流脉冲。