发明名称 多孔基材中之通路
摘要
申请公布号 TWI511248 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW101114252 申请日期 2012.04.20
申请人 泰斯拉公司 发明人 穆翰米德 艾里亚斯;哈巴 比加希姆;攸柔 赛普伦;赛维拉亚 琵悠许
分类号 H01L23/48;H01L23/52 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种微电子单元,其包括:一半导体基材,其具有一前表面及远离该前表面之一后表面且其中体现复数个主动半导体装置,该基材具有曝露于该前表面处之复数个导电垫及配置成跨越该后表面之一面积之一对称或非对称分布之复数个开口,其中至少m个开口沿该后表面在一第一方向上间隔开且n个开口沿该后表面在横向于该第一方向之一第二方向上间隔开,m及n中之每一者皆大于1;第一及第二导电通路,其与该复数个导电垫中之各别第一及第二垫电连接;复数个第一及第二导电互连件,其在该等开口中之各别者内延伸,每一第一导电互连件连接至该第一导电通路,每一第二导电互连件连接至该第二导电通路,该等复数个第一及第二导电互连件具有直接接触基材之半导体材料之部分;及第一及第二导电触点,其曝露于该后表面处以用于与一外部元件互连,该等第一及第二导电触点分别电连接至该等第一及第二导电互连件,其中该复数个第一导电互连件藉由该复数个开口中之至少一者而在实质上平行于该前表面之一水平方向上与该复数个第二导电互连件分离,该至少一个开口至少部分地填充有一绝缘介电材料。
地址 美国