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发明名称 氮化物半导体结构及半导体发光元件
摘要
申请公布号 TWI511325 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW101143155 申请日期 2012.11.19
申请人 新世纪光电股份有限公司 发明人 吴俊德;李玉柱
分类号 H01L33/02 主分类号 H01L33/02
代理机构 代理人 叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;詹东颖 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;刘亚君 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种氮化物半导体结构，系包含一N型半导体层以及一P型半导体层，于该N型半导体层与该P型半导体层间配置有一发光层，该发光层与该P型半导体层间配置有一电洞提供层，该电洞提供层为氮化铟镓InxGa1-xN，其中0<x<1，且该电洞提供层系掺杂有浓度介于1017~1020cm-3的四族元素，其中该四族元素为碳。
地址 台南市善化区大利三路5号
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