半导体装置

主权项

一种半导体装置，包括：绝缘表面之上的第一闸极电极；该第一闸极电极之上的第一绝缘层；该第一绝缘层之上且包括铟、镓、锌的氧化物半导体层，其中，该氧化物半导体层为非单晶半导体；该氧化物半导体层之上的源极电极层和汲极电极层；覆盖该源极电极层和该汲极电极层的树脂层；以及该树脂层之上的第二闸极电极，其中，该氧化物半导体层包括相较于与源极电极层或汲极电极层重叠的该氧化物半导体层的区域具有小厚度的区域，以及其中，该树脂层与该氧化物半导体层的具有小厚度的区域接触。