| 主权项 |
一种研磨液，其使用在半导体积体电路之制造的平面化方法中来化学机械研磨欲研磨的主体，该欲研磨的主体包含至少一包含多晶矽或经改质的多晶矽之第一层，及一包含至少一种选自于由氮化矽、碳化矽、碳氮化矽、氧碳化矽及氧氮化矽所组成之群的第二层；该研磨液具有pH 1.5至7.0，其包含(1)胶体氧化矽颗粒、(2)在其分子结构中包含至少一个羧基的有机酸及(3)阴离子界面活性剂，及其能相对于第一层选择性研磨第二层使得欲研磨的主体系在由RR(其它)/RR(p-Si)所表示的比率为1.5至200之范围内被研磨，其中RR(p-Si)代表第一层之研磨速率及RR(其它)代表第二层之研磨速率。
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