| 发明名称 |
用于藉由使汲极及源极区凹陷而于电晶体中紧邻通道区提供应力源之技术 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI511273 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
| 申请号 |
TW096109293 |
申请日期 |
2007.03.19 |
| 申请人 |
高级微装置公司 |
发明人 |
韦 安迪;坎姆勒 索斯顿;候尼史奇尔 詹;郝斯特门 马弗雷;杰瓦卡 彼特;布鲁蒙史提 乔 |
| 分类号 |
H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：第一导电性类型之第一电晶体，该第一电晶体包括：形成于第一通道区上方的第一闸极电极；形成于该第一闸极电极与该第一通道区之间的第一闸极绝缘层；形成于邻近该第一通道区的第一汲极及源极区，该等第一汲极及源极区紧邻该第一通道区的顶面相对于该第一闸极绝缘层的底面是呈凹陷的，其中，该第一呈凹陷的汲极及源极区包括嵌入之第一应变半导体材料；以及形成于该等第一汲极及源极区上方的第一应力层，该第一应力层系延伸进入由该等第一凹陷汲极及源极区所形成的凹处中。
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| 地址 |
美国 |
