发明名称 半导体结构及其制造方法;SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 在此提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括一导电层、一导孔、以及设置在导电层与导孔之间的一阻障层。阻障层系填塞有氧。
申请公布号 TW201545300 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW103118907 申请日期 2014.05.30
申请人 旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 发明人 余秉隆 YU, BING LUNG;叶金瓒 YEH, CHIN TSAN;洪永泰 HUNG, YUNG TAI;苏金达 SU, CHIN TA
分类号 H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L23/52(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉林素华
主权项
地址 新竹县科学工业园区力行路16号 TW