互补型金属氧化物半导体制程中单石整合光子及电子之方法及系统;METHOD AND SYSTEM FOR MONOLITHIC INTEGRATION OF PHOTONICS AND ELECTRONICS IN CMOS PROCESSES

摘要

本发明提供互补型金属氧化物半导体(CMOS)制程中单石整合光子及电子之若干方法及系统，且可包括在具有不同矽层厚度之一单一CMOS晶圆上制作光子及电子装置。该等装置系可于一绝缘体上半导体(SOI)晶圆上使用一块状矽CMOS制程来制作及/或于一SOI晶圆上使用一SOI CMOS制程来制作。可使用一双重SOI制程及/或一选择性区域生长制程来制作不同的厚度。可利用一或多个氧植入物及/或于该CMOS晶圆上使用CMOS沟槽氧化物来制作数个覆层。矽系可利用磊晶横向过度生长而沈积于该CMOS沟槽氧化物上。可利用选择性背侧蚀刻来制作数个覆层。可藉由使金属沈积于该等经选择性蚀刻区域来制作数个反射性表面。整合于该CMOS晶圆中之二氧化矽或锗化矽系可用作一蚀刻阻止层。