保形氮化铝的高成长速度制程;HIGH GROWTH RATE PROCESS FOR CONFORMAL ALUMINUM NITRIDE

摘要

提供在半导体基板上沈积保形氮化铝薄膜的方法。所揭露的方法涉及：(a)使一基板暴露至一含铝前驱物；(b)吹净该含铝前驱物一段时间，此段时间不足以移除实质上所有气相的该含铝前驱物；(c)将基板暴露至一含氮前驱物以形成氮化铝；(d)吹净含氮前驱物；及(e)重覆(a)至(d)。获得较高的成长速度以及100%的阶梯覆盖率与保形性。