| 主权项 |
一种非挥发性半导体记忆装置，其包括：一记忆体单元阵列，其经组态以具有配置于其内之复数个记忆体垫(memory mats)，该等记忆体垫之各者具有布置于其内之在一第一线与一第二线之一相交点(intersection)处之一记忆体单元，该记忆体单元包含一第一可变电阻元件；一第三线，其延伸穿过该复数个记忆体垫；一第二可变电阻元件，其连接于该复数个记忆体垫之各者之该第三线与该第二线之间；一虚设记忆体单元；及一第四线，其经由该虚设记忆体单元而连接至该第二线，其中当选择对应于该第四线之记忆体垫时，该第四线被设定为一第一电位，且当未选择对应于该第四线之记忆体垫时，该第四线被设定为一第二电位，该第二电位不同于该第一电位。
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