| 发明名称 |
半导体装置、氮化物半导体结晶体、半导体装置之制造方法，以及氮化物半导体结晶体之制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI511285 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
| 申请号 |
TW102105189 |
申请日期 |
2013.02.08 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
中村哲一;山田敦史;石黑哲郎;宫岛豊生;今西健治 |
| 分类号 |
H01L29/778;H01L21/205 |
主分类号 |
H01L29/778 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：形成在基板上之核结晶层；形成在该核结晶层上之缓冲层；形成在该缓冲层上之第一氮化物半导体层；以及形成在该第一氮化物半导体层上之第二氮化物半导体层，其中，光致发光中之黄光发射对能带边缘发射之比率为400%或更小以及X射线摇摆曲线中之扭曲值为1,000arcsec或更小。 |
| 地址 |
日本 |
