具高移除速率及低缺陷率之对氧化物与多晶矽及氮化物具有选择性的ＣＭＰ组合物;CMP COMPOSITIONS SELECTIVE FOR OXIDE OVER POLYSILICON AND NITRIDE WITH HIGH REMOVAL RATE AND LOW DEFECTIVITY

摘要

本发明提供一种化学机械抛光组合物，其含有氧化铈磨料及式I聚合物：;其中X 1 及X 2 、Y 1 及Y 2 、Z 1 及Z 2 、R 1 、R 2 、R 3 、及R 4 、及m系如本文所定义；及水，其中该抛光组合物具有1至4.5之pH值。本发明更提供一种利用本发明化学机械抛光组合物化学机械抛光一基材之方法。典型地，该基材含有氧化矽、氮化矽、及/或多晶矽。