发光二极体的制备方法

主权项

一种发光二极体的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面生长一第一半导体层；在所述第一半导体层表面设置一图案化的掩膜层，所述图案化的掩膜层包括复数条形凸起结构并排延伸，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述第一半导体层通过该沟槽暴露出来；蚀刻所述第一半导体层，在所述第一半导体层远离基底的表面形成复数凹槽，使所述图案化的掩膜层中相邻的复数条形凸起结构依次两两闭合；去除所述图案化的掩膜层，在所述第一半导体层远离基底的表面形成复数M形三维奈米结构，从而形成一图案化的表面；在所述复数三维奈米结构表面依次形成一活性层及第二半导体层，所述活性层与第一半导体层接触的表面与所述第一半导体层图案化的表面相啮合；蚀刻所述第二半导体层及活性层，暴露出第一半导体层的部份表面；在暴露的第一半导体层表面设置一第一电极与所述第一半导体层电连接；及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。