| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI511199 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
| 申请号 |
TW100144602 |
申请日期 |
2011.12.05 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
廖茂成;洪敏皓;葛翔翔;陈科维;王英郎 |
| 分类号 |
H01L21/3105;H01L27/092;H01L29/10;H01L21/8238 |
主分类号 |
H01L21/3105 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一介电层；于该介电层内形成一第一沟槽，其中该第一沟槽延伸穿过该介电层；于该第一沟槽内磊晶成长一第一主动层；以一辐射能选择性硬化邻接该第一主动层的该介电层且使该第一主动层不直接暴露于该辐射能中；以及于该第一主动层上形成一第一半导体元件。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
