| 摘要 |
elemento semicondutor de nitreto e método para a fabricação do mesmo. a presente invenção refere-se a um elemento semicondutor de nitreto que inclui um substrato de safira, que inclui: uma superfície principal que se estende em um plano em c do substrato de safira, e uma pluralidade de projeções dispostas na superfície principal, a pluralidade de projeções que inclui pelo menos uma projeção que tem uma forma alongada em uma vista plana; e uma camada semicondutora de nitreto disposta sobre a superfície principal do substrato de safira. pelo menos uma projeção tem uma borda externa que se estende em uma direção longitudinal da forma alongada, a borda externa que se estende em uma direção orientada a um ângulo na faixa de -10° a +10° com relação a um plano a do substrato de safira na vista plana. |
