光阻与半导体装置的制作方法;PHOTORESIST AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明提供之光阻具有分解性官能基键结至高抗蚀刻部份。此外，分解性官能基可额外连结至再连结官能基。再连结官能基在分解性官能基自高分子断裂后，可再连结至高分子。光阻亦可包含具有交联位点的非脱离性单体，以及交联剂。