发明名称 半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 一种半导体装置包含:一电晶体,具有一氧化物半导体层;以及一逻辑电路,系使用氧化物半导体以外之一半导体材料所形成。该电晶体的源极电极及汲极电极中之一者系电性连接至该逻辑电路的至少一输入端,且至少一输入信号可经由该电晶体施加至该逻辑电路。该电晶体的截止电流最好是1×10 -13 A或更小。; and a logic circuit formed using a semiconductor material other than an oxide semiconductor. One of a source electrode and a drain electrode of the transistor is electrically connected to at least one input of the logic circuit, and at least one input signal is applied to the logic circuit through the transistor. The off-current of the transistor is preferably 1 ×
申请公布号 TW201545312 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW104126859 申请日期 2010.10.27
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 发明人 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI;今井馨太郎 IMAI, KEITARO;小山润 KOYAMA, JUN
分类号 H01L27/04(2006.01);G11C11/40(2006.01);G11C16/02(2006.01) 主分类号 H01L27/04(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP