发明名称 |
表面处理方法、表面处理剂以及新化合物 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI510498 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
申请号 |
TW102120054 |
申请日期 |
2013.06.06 |
申请人 |
森邦夫;硫黄化学研究所股份有限公司;名幸电子股份有限公司 |
发明人 |
森邦夫;松野佑亮;森克仁;工藤孝广;滝井秀吉;道脇茂;宫脇学;矢内正训;神山孝一;千叶瞳;增田泰之 |
分类号 |
C07F7/18;B05D7/24;B32B7/04;C09J183/00;B32B15/04 |
主分类号 |
C07F7/18 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
一种表面处理方法,系以含化合物α之溶液涂布在基板上设置前述化合物α的表面处理方法,其特征在于:前述化合物α为下述通式[I]所示之化合物:{(NR1R2)aX-Q}bY(W)c{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}d......通式[I]式中,R1、R2、R3、R4为H或官能基;R1、R2、R3、R4,可全部相同,亦可不同;X、Z、Q、V为键结基;但亦有无键结基X、Z、Q之情形(但,无X、Z、Q全部均无之情形);Y为骨架;该骨架具有三环(C3N3);且在前述三环中,并未,直接键结在-NH2、-N3上;W,为{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}以外之官能基;M为选自:Si、Al、Ti所成之群中的至少一种;a为1以上之整数,b为1或2,c为0或1,d为1或2,且b+c+d=3,n为0、1或2。 |
地址 |
日本 |