| 摘要 |
메모리 디바이스, 메모리 디바이스의 동작을 위한 시스템, 및 방법이 개시된다. 하나의 그러한 메모리 디바이스에서, 메모리 디바이스는 복수의 메모리 셀들의 스트링을 포함한다. 복수의 드레인 선택 디바이스는 메모리 셀들의 각 스트링에 결합된다. 상층 드레인 선택 디바이스는 메모리 셀들의 다른 스트링들의 하나 이상의 상층 드레인 선택 디바이스와 공통 지지 회로(예를 들어, 선택/선택 해제 트랜지스터들)를 공유한다. 하층 드레인 선택 디바이스들을 위한 지지 회로(예를 들어, 선택/선택 해제 트랜지스터들)는 또한 메모리 셀들의 복수의 스트링 사이에서 공유될 수 있다. |
