发明名称 |
异向性磁阻元件及其制造方法;ANISOTROPIC MAGNETORESISTIVE DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME |
摘要 |
本发明系关于一种异向性磁阻元件,其包含基板、内连线结构与磁阻材料层。内连线结构系位于该基板上且包含复数金属内连线层,磁阻材料层系位于该内连线结构上方,其中该复数金属内连线层中的最上层金属内连线层包含一导电性分流结构,此导电性分流结构未经由导电性插塞而与该磁阻材料层实体连接。 |
申请公布号 |
TW201545387 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
申请号 |
TW103117948 |
申请日期 |
2014.05.22 |
申请人 |
宇能电科技股份有限公司 VOLTAFIELD TECHNOLOGY CORP. |
发明人 |
刘富台 LIOU, FU TAI;李乾铭 LEE, CHIEN MIN |
分类号 |
H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01) |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈思源 |
主权项 |
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地址 |
新竹县竹北市台元一街1号6楼之1 TW |