| 发明名称 |
半导体装置的制造方法;METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
本发明的目的之一是对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。在具有氧化物半导体膜的底闸结构电晶体的制造制程中，进行由热处理的脱水化或脱氢化处理以及氧掺杂处理。具有经过由热处理的脱水化或脱氢化处理的氧化物半导体膜且在制造制程中受到氧掺杂处理的电晶体在偏压-热应力试验(RT试验)的前后也可以减小电晶体的阈值电压的变化量，从而可以实现可靠性高的电晶体。 |
| 申请公布号 |
TW201545361 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
| 申请号 |
TW104127157 |
申请日期 |
2011.04.21 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
