发明名称 |
半导体装置及具有其之显示装置;SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME |
摘要 |
本发明的一个方式的目的之一是在使用包含氧化物半导体的电晶体的半导体装置中抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括电晶体的半导体装置,该电晶体包括:闸极电极;闸极电极上的第一绝缘膜;第一绝缘膜上的氧化物半导体膜;与氧化物半导体膜电连接的源极电极;以及与氧化物半导体膜电连接的汲极电极,在电晶体上设置有第二绝缘膜,在第二绝缘膜上设置有保护膜,第二绝缘膜包含氧,且保护膜包含与氧化物半导体膜相同的金属元素中的至少一个。 |
申请公布号 |
TW201545359 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
申请号 |
TW104112074 |
申请日期 |
2015.04.15 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
肥纯一 KOEZUKA, JUNICHI;神长正美 JINTYOU, MASAMI;黒崎大辅 KUROSAKI, DAISUKE |
分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L29/41(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |