发明名称 为功能元件制造辐射不能穿透之介质的方法
摘要 本发明涉及一种制造辐射不能穿透之介质的方法,此等介质将至少一个包含多个功能元件的功能单元环绕遮蔽住,其中功能单元具有一个顶面、一个背面、以及环绕的侧边,同时可以在一片晶圆上一起连贯制造许多个功能单元。为了阻止辐射从功能元件的侧面及外面上方射入功能单元,本发明提出的方法是依序执行以下的步骤:在彼此相邻的功能单元之间形成一道沟槽,接着使辐射不能穿透的介质沉积在沟槽表面及功能单元之顶面与沟槽相邻的边缘区域,然后以非破坏性的方式将带有辐射不能穿透之介质的功能单元分开。
申请公布号 TW201545236 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW104106879 申请日期 2015.03.04
申请人 中心微电子德累斯顿股份公司 ZENTRUM MIKROELEKTRONIK DRESDEN AG 发明人 莱希尔 汤玛士 REICHEL, THOMAS;马士柴可夫斯基 艾利克 MARSCHALKOWSKI, ERIC
分类号 H01L21/3205(2006.01);H01L27/14(2006.01) 主分类号 H01L21/3205(2006.01)
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国 DE