| 发明名称 |
制造具有绝缘层之积体电路的方法;METHODS FOR PRODUCING INTEGRATED CIRCUITS WITH AN INSULTATING LAYER |
| 摘要 |
提供制造积体电路的方法。一种制造积体电路的方法包括：形成覆于基板上的一绝缘层，该绝缘层在此形成于沟槽内。用水浸渍该绝缘层，以及退火该绝缘层同时照射它。以约800℃或更低的乾退火温度退火该绝缘层。 |
| 申请公布号 |
TW201545233 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
| 申请号 |
TW103144728 |
申请日期 |
2014.12.22 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. |
发明人 |
莱恩 埃罗尔 托德 RYAN, ERROL TODD;瓦特利特 苏宽 宏 WATERVLIET, SUKWON HONG |
| 分类号 |
H01L21/31(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄陈昭诚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 US |
