发明名称 矽晶圆之制造方法及矽晶圆
摘要 提供使得表面雾度降低到20ppb以下的矽晶圆之制造方法及矽晶圆。矽晶圆制造方法,其包括修整研磨程序、及清洗完成上述修整研磨程序的晶圆之清洗程序,上述清洗程序中,至少执行用含有氟化氢的清洗液进行清洗;分别控制上述清洗程序中的清洗条件及修整研磨程序中的研磨条件,以使得刚完成上述清洗程序的晶圆表面之氢端率为87%以上。又,经修整研磨之矽晶圆,该晶圆表面雾度为20ppb以下。
申请公布号 TW201545222 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW104101629 申请日期 2015.01.19
申请人 SUMCO股份有限公司 SUMCO CORPORATION 发明人 杉森胜久 SUGIMORI, KATSUHISA;小佐佐和明 KOZASA, KAZUAKI
分类号 H01L21/304(2006.01);H01L21/306(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本 JP