| 发明名称 | 半导体晶片之精确破断法与其破断系统 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI511195 | 申请公布日期 | 2015.12.01 |
| 申请号 | TW102148016 | 申请日期 | 2013.12.24 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 田大昌 |
| 分类号 | H01L21/304 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种半导体晶片破断方法，包括：利用聚焦离子束从该半导体晶片上表面切割出一梯度切槽，该梯度切槽至少包括第一切槽、第二切槽与第三切槽，该第一切槽、该第二切槽与该第三切槽均横向向内延伸且朝向该半导体晶片的一待分析结构的位置，而该第三切槽的尖端最接近该待分析结构的该位置；透过折断器下压该半导体晶片，利用该梯度切槽导引劈裂方向而劈裂该半导体晶片而使该半导体晶片破断且剖开该待分析结构。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||