| 摘要 |
<p>기존의 LED 에서 소모 전력의 15％만 빛이 되고 나머지 85％가 열로 낭비되는 문제를 분석한 결과, 잘못된 밴드 갭 이론으로 말미암아 반도체혼합물인 발광반도체에서 빛이 발생하는 원리를 잘못 이해하여, 발광반도체에서 빛이 발생하도록 하려면 발광반도체에 원자를 첨가하여 n-type 과 p-type 반도체로 만들어 p-n junction 에서 p-type 반도체에 있는 정공(hole)과 n-type 반도체에 있는 전자가 재결합할 때 빛이 발생한다고 믿기 때문에, 발광반도체 외각에 있는 양성자-전자쌍이 이온화되어 전자가 운동에너지를 빛으로 방사할 때 n-type 과 p-type 반도체로 만들기 위해 첨가한 원자의 외각에 있는 양성자-전자쌍까지 함께 이온화하여 빛을 발하지 않고 p-n junction 을 통과하는 전자가 열을 발생하기 때문이라는 사실을 발견하게 되었다. 본 발명은 빛을 방사하지 않고 열로 손실되는 전자가 발생하지 않도록 발광반도체에 원자를 첨가하여 n-type 과 p-type 반도체로 만들지 않고 발광반도체의 외각에 있는 양성자-전자쌍만을 이온화시켜 생성된 양성자이온()과 전자이온()이 빛을 방사하도록 하여, 한 편으로는 LED 의 발광 효율을 높이고 다른 한편으로는 과다한 열이 발생함으로 말미암아 장시간 사용하는 경우 빛이 흐려지는 것을 방지한다. 발광반도체를 n-type 과 p-type 반도체로 만들지 않고 발광반도체의 외각에 있는 양성자-전자쌍만을 이온화시켜 생성된 양성자이온()과 전자이온()이 빛을 방사하도록 하는 방법을 수소가스등속에서 수소원자가 이온화되어 생성된 양성자이온()과 전자이온()이 빛을 방사하는 과정이 LED 속에서 아래에 서술한 방법에 의해 재현되도록 한 것이다. 스펙트럼을 발생시키고자 하는 발광반도체의 밴드 갭 에너지를 근거로 발광반도체의 최 외각을 구성하는 양성자-전자쌍()의 각궤도상에서 회전하는 전자의속도()와 양성자까지의 거리()를 계산하는 제 1 단계; 발광반도체의 최 외각을 구성하는 양성자-전자쌍()의 각궤도속도거리적()의 정수() 배가되는 위치에서의 전자의속도()와 양성자까지의 거리() 및 이온화전압()을 계산하는 제 2 단계; 발광반도체에서 발생 가능한 스펙트럼의 파장(λ), 속도(), 양성자이온()이 전자이온()을 잡을 때 전자의 위치(), 양성자()가 잡은 전자를 끌고 온 거리((-)) 및 잡힌 전자의속도()를 계산하여 표를 작성하는 제 3 단계; 발광반도체 외각에 있는 양성자-전자쌍에서 일정한 파장(λ)의 스펙트럼을 발생하게 하기 위해 양성자이온()이 전자를 잡아야 하는 위치() 및 잡힐 전자의속도()와 잡힌 전자가 다시 이온화되는 위치()를 표에서 읽는 제 4 단계; 음극에서 양극으로 끌려가는 전자이온()의 속도()가 양성자이온()에게 잡히는 범위 안에 들도록 n-type 실리콘기판의 두께와 첨가 원자의 밀도, p-type 실리콘기판의 두께와 첨가 원자의 밀도, 발광반도체기판의 두께, 음극과 양극간의 거리, 및 양극에 인가하는 DC 전압의 크기를 조정하는 제 5 단계; 양성자이온()이 전자이온()을 잡은 순간 형성된 양성자-전자쌍(←) 속에서 전자()가 양성자()에게 끌려오다가 각궤도속도거리적의배가되는 위치에서 이온화되도록 플라스마 구역 내 정전기장 분포를 조정하여 방사하는 스펙트럼의 파장이 원하는 파장이 되게 하는 제 6 단계를 포함한다. [색인어] 수소가스등(hydrogen gas lamp), 리드버그공식(Rydberg formula), 광자(photon), 스펙트럼(spectrum), 양성자-전자쌍(proton-electron pair), 원자의이온화전압, 양성자이온(proton ion), 전자이온(electron ion), 양성자이온이 전자이온을 잡은 직후 형성한 양성자-전자쌍, 각궤도속도거리적법칙(The law of velocity distance prod</p> |
