半导体装置、其制造方法及电子装置;SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE

摘要

提供一种微型化和高密度化的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一层；第一层上的第二层；第二层上的第三层；以及第三层上的第四层，其中，第一层具有第一电晶体，第二层具有第一绝缘膜和第一导电膜，第一导电膜具有藉由设置在第一绝缘膜中的开口部使第一电晶体与第二电晶体电连接的功能，第三层具有第二绝缘膜和第二导电膜，第二导电膜具有藉由设置在第二绝缘膜中的开口部使第一电晶体、第二电晶体与第一导电膜电连接的功能，第四层具有第二电晶体，第一电晶体的通道形成区域具有单晶半导体，第二电晶体的通道形成区域具有氧化物半导体，第二导电膜的底面的宽度为5nm以下。