发明名称 接面场效电晶体;JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要 一种接面场效电晶体,其包括一第一掺杂区与一第二掺杂区。第一掺杂区包括一源极与一汲极。第二掺杂区包括一闸极,并与第一掺杂区之间具有一U形的PN接面位于源极与汲极之间。
申请公布号 TW201545348 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW103118906 申请日期 2014.05.30
申请人 旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 发明人 詹景琳 CHAN, CHING LIN;林正基 LIN, CHENG CHI
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉林素华
主权项
地址 新竹县科学工业园区力行路16号 TW