半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

摘要

本发明的一个实施方式提供一种占有面积小且集成度高的半导体装置。本发明的一个实施方式是一种半导体装置，包括：第一绝缘层、导电层及第二绝缘层，其中，导电层设置在第一绝缘层与第二绝缘层之间，第一绝缘层、导电层及第二绝缘层包括彼此重叠的区域，接触插塞贯穿第一绝缘层、导电层及第二绝缘层，并且，在从第二绝缘层向第一绝缘层的深度方向上，接触插塞的直径在第二绝缘层与导电层的介面处变小。