| 主权项 |
一种磁阻式随机存取记忆体(magnetoresistive random access memory,MRAM)，包括：一固定磁性层；一阻障层，相邻于该固定磁性层；一巨磁阻(giant magnetoresistance,GMR)结构，相邻于该阻障层，该巨磁阻(GMR)结构包括一第一磁性层、一第二磁性层与一导电层，该导电层插入于该第一磁性层与该第二磁性层之间，其中该固定磁性层、该阻障层与该巨磁阻(GMR)结构横向覆盖于一介电层上；一第一电极，电性耦接该固定磁性层；一第二电极，电性耦接该巨磁阻(GMR)结构之该第一磁性层；以及一第三电极，电性耦接该巨磁阻(GMR)结构之该第二磁性层。
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