高压位准转换电路;HIGH-VOLTAGE LEVEL CONVERSION CIRCUIT

摘要

本发明提供一种高压位准转换电路，至少包括第一NMOS电晶体、第一PMOS电晶体、第二NMOS电晶体、第二PMOS电晶体、第三PMOS电晶体、第三NMOS电晶体、第四PMOS电晶体以及第四NMOS电晶体，用以接收具有第一位准电压与第二位准电压的输入讯号，并将输入讯号转换成第三位准电压与第四位准电压的输出讯号。相较于传统的高压位准转换电路，本发明提供的高压位准转换电路占用较少的电路面积。