半导体基板结构、半导体功率元件及改善半导体功率元件中之注入控制方法;SEMICONDUCTOR SUBSTRATE STRUCTURE, SEMICONDUCTOR POWER DEVICES, IMPROVED INJECTION CONTROL IN SEMICONDUCTOR POWER DEVICES

摘要

本发明所揭露的半导体功率元件可以形成在基板结构上，具有第一导电类型的轻掺杂半导体基板，或与第一导电类型相反的第二导电类型。第一导电类型的半导体第一缓冲层形成在基板上方。第一缓冲层的掺杂浓度大于基板的掺杂浓度。第二导电类型的第二缓冲层形成在第一缓冲层上方，第二导电类型的外延层形成在第二缓冲层上方。外延层的掺杂浓度大于第二缓冲层的掺杂浓度。本发明摘要用于使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，应明确，本发明摘要将不用于解释或局限申请专利范围的范围或意图。