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发明名称
场效电晶体装置及形成电性接触之方法;FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS FOR FORMING ELECTRICAL CONTACTS
摘要
提供一种形成电性接触的方法。形成第一和第二场效电晶体于半导体基板上。在形成于基板上的介电层中蚀刻出开口,其中这些开口延伸至上述场效电晶体的源极与汲极区域。形成硬罩幕于场效电晶体的源极与汲极区域之上。移除硬罩幕之第一部份,此第一部份系形成于第一场效电晶体的源极与汲极区域之上。形成第一矽化物层于第一场效电晶体的源极与汲极区域之上。移除硬罩幕之第二部份,此第二部份系形成于第二场效电晶体的源极与汲极区域之上。形成第二矽化物层于第二场效电晶体的源极与汲极区域之上。沉积金属层于上述开口中,以填充开口。
申请公布号
TW201545341
申请公布日期
2015.12.01
申请号
TW103146482
申请日期
2014.12.31
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人
聂君文 NIEH, CHUN WEN;许宏彰 HSU, HUNG CHANG;林威戎 LIN, WEI JUNG;蔡彦明 TSAI, YAN MING;李振铭 LEE, CHEN MING;王美匀 WANG, MEI YUN
分类号
H01L29/45(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L27/092(2006.01)
主分类号
H01L29/45(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW
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