发明名称 晶圆的加工方法
摘要 本发明的课题是提供一种晶圆的加工方法,其可在不发生脱层(Delamination)的前提下,去除含有低介电常数绝缘膜的积层体。解决手段为一种晶圆的加工方法,该晶圆是由基板,及形成于该基板上之包含低介电常数绝缘膜的积层体所形成,并藉由该积层体而形成有格子状交叉的复数条分割预定线,及在该分割预定线所划分的各区域中的元件,其特征在于,该晶圆的加工方法包括:在晶圆的该积层体上配置表面保护构件之表面保护构件配置步骤;在实施该表面保护构件配置步骤后,隔着该表面保护构件以保持机构保持晶圆而使该基板侧露出之保持步骤;在实施该保持步骤后,以具有第一厚度的第一切削刀片沿着该分割预定线朝晶圆的该基板形成于厚度方向上未将该基板完全切断的切削沟,并且在该切削沟下形成该基板的第一切剩部之切削沟形成步骤;以及在实施该切削沟形成步骤后,以具有比第一厚度还薄之第二厚度的第二切削刀片或以蚀刻方式沿着该分割预定线切断该第一切剩部及该积层体之切断步骤。
申请公布号 TW201545224 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW104111287 申请日期 2015.04.08
申请人 迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION 发明人 皮拉瓦瑟 卡尔 PRIEWASSER, KARL
分类号 H01L21/304(2006.01);H01L21/301(2006.01);B23K26/36(2014.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群陈文郎
主权项
地址 日本 JP