发明名称 形成具有减少表面粗度及主体缺陷密度之异质层于非原生表面的方法及其形成结构;METHODS OF FORMING HETERO-LAYERS WITH REDUCED SURFACE ROUGHNESS AND BULK DEFECT DENSITY ON NON-NATIVE SURFACES AND THE STRUCTURES FORMED THEREBY
摘要 形成具有减少表面粗度及主体缺陷密度之异质层于非原生表面的方法及其形成装置被叙述。于一实施例中,该方法包含提供具有一顶部表面之基板,该顶部表面设有一晶格常数;与将第一层沉积在该基板之顶部表面上。该第一层具有一设有晶格常数的顶部表面,该晶格常数系与该基板之顶部表面的第一晶格常数不同。该第一层被退火及抛光,以形成一抛光表面。第二层接着被沉积在该抛光表面上方。
申请公布号 TW201545209 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW104128113 申请日期 2012.12.14
申请人 英特尔股份有限公司 INTEL CORPORATION 发明人 穆可吉 尼洛依 MUKHERJEE, NILOY;梅兹 马修 METZ, MATTHEW V.;帕尔斯 詹姆士 POWERS, JAMES. M.;雷 凡 LE, VAN H.;楚金 班杰明 CHU-KING, BENJAMIN;里梅 马克 LEMAY, MARK R.;拉多撒福杰维克 马可 RADOSAVLJEVIC, MARKO;高尔 尼堤 GOEL, NITI;周 罗伦 CHOW, LOREN A.;托钦斯基 彼得 TOLCHINSKY, PETER;卡瓦莱罗斯 杰克 KAVALIEROS, JACK T.;乔 罗伯特 CHAU, ROBERT S.
分类号 H01L21/20(2006.01);H01L29/778(2006.01) 主分类号 H01L21/20(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国 US