具有奈米线结构的半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NANO WIRE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME,申请号TW104117014-传众专利搜索

发明名称	具有奈米线结构的半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NANO WIRE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要	半导体装置包含具有第一图案的第一群组之奈米线、具有第二图案的第二群组之奈米线、具有第三图案的第三群组之奈米线，以及具有第四图案的第四群组之奈米线。其中第一图案、第二图案、第三图案和第四图案系形成重复图案。
申请公布号	TW201545207	申请公布日期	2015.12.01
申请号	TW104117014	申请日期	2015.05.27
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.	发明人	傅劲逢 FU, CHINGFENG;陈德芳 CHEN, DEFANG;严佑展 YEN, YUCHAN;李佳颖 LEE, CHIAYING;李俊鸿 LEE, CHUNHUNG;林焕哲 LIN, HUANJUST
分类号	H01L21/027(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/304(2006.01);B82Y10/00(2011.01)	主分类号	H01L21/027(2006.01)
代理机构		代理人	蔡坤财李世章
主权项
地址	新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW