发明名称 GATE DRIVE CIRCUIT
摘要 <p>전력용 반도체 소자로서의 IGBT(2)를 구동하는 게이트 구동 회로에 있어서, IGBT(2)의 게이트 용량을 일정 전류로 충전하는 정전류 게이트 구동 회로(1)와, MOSFET(4) 및 저항(5-1)의 직렬 회로를 통하여 정전류 게이트 구동 회로(1)의 입출력단 사이에 병렬로 접속되어, IGBT(2)의 게이트 용량을 일정 전압으로 충전하는 정전압 게이트 구동 회로(5)를 구비하고, IGBT(2)를 구동할 때에, 정전류 게이트 구동 회로(1)와 정전압 게이트 구동 회로(5)의 양쪽을 이용하여 IGBT(2)의 게이트 용량을 충전한다.</p>
申请公布号 KR101572747(B1) 申请公布日期 2015.11.27
申请号 KR20137032106 申请日期 2011.06.09
申请人 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 发明人 가네코 마사시;다무라 시즈리;나카타케 히로시
分类号 H02M1/08;H03K17/04;H03K17/16 主分类号 H02M1/08
代理机构 代理人
主权项
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