| 摘要 |
<p>반도체-절연체 계면의 계면 준위가 저감된 반도체 기판과, 그 제조 방법 및 반도체 장치를 제공한다. 비소를 함유하는 3-5족 화합물의 반도체층과, 산화물, 질화물 또는 산질화물의 절연층을 포함하고, 상기 반도체층과 상기 절연층 사이에 비소의 산화물이 검출되지 않는 반도체 기판이 제공된다. 이 제1 형태에 있어서 반도체 기판은 상기 반도체층과 상기 절연층 사이에 존재하는 원소를 대상으로 하는 X선 광전자 분광법에 의한 광전자 강도의 분광 관찰에서, 비소에 기인하는 원소 피크의 고결합 에너지측에, 산화된 비소에 기인하는 산화물 피크가 검출되지 않는 것일 수 있다.</p> |
