| 摘要 |
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, aufweisend: – eine Mesa (72) mit – einer Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung umfassend eine p-leitende Schicht (21), eine aktive Zone (22) und eine n-leitende Schicht (23), – einer Grundfläche (72a) und – einer Strahlungsdurchtrittsfläche (24a), – eine Durchkontaktierung (71), die sich durch die p-leitende Schicht (21) und die aktive Zone (22) hindurch in die n-leitende Schicht (23) erstreckt, – einen Anschlussträger (6) mit einem Anschlusssubstrat (62), der an einer der Strahlungsdurchtrittsfläche (24a) abgewandten Seite der Mesa (72) angeordnet ist, und – eine ganzflächig ausgebildete Aluminiumschicht (33), die Aluminium enthält und zwischen der Mesa (72) und dem Anschlussträger (6) angeordnet ist, wobei – die Mesa (72) lateral von einem Graben (73) umschlossen ist, die frei von dem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) ist, – die Durchkontaktierung (71) zumindest teilweise durch das Material der Aluminiumschicht (33) gebildet ist. |
