摘要 |
Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silizium aus einer Schmelze, die in einem Tiegel enthalten ist, umfassend das Eintauchen eines Keimkristalls in die Schmelze; das Kristallisieren des Einkristalls am Keimkristall durch Anheben des Keimkristalls von der Schmelze mit einer Kristallhubgeschwindigkeit; das Erweitern eines Durchmessers des Einkristalls in einem konusförmigen Abschnitt auf einen Solldurchmesser, umfassend das Absenken der Kristallhubgeschwindigkeit von einer Anfangsgeschwindigkeit auf eine untere Kristallhubgeschwindigkeit, die mindestens 40% niedriger ist als die Anfangsgeschwindigkeit, und das Anheben der Kristallhubgeschwindigkeit von der unteren Kristallhubgeschwindigkeit auf eine Endgeschwindigkeit, mit der der Keimkristall beim Erreichen des Solldurchmessers angehoben wird, wodurch im konusförmigen Abschnitt eine Krümmungsumkehr einer Wachstumsfront des Einkristalls bewirkt wird. |