发明名称 Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silizium und danach hergestellter Einkristall
摘要 Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silizium aus einer Schmelze, die in einem Tiegel enthalten ist, umfassend das Eintauchen eines Keimkristalls in die Schmelze; das Kristallisieren des Einkristalls am Keimkristall durch Anheben des Keimkristalls von der Schmelze mit einer Kristallhubgeschwindigkeit; das Erweitern eines Durchmessers des Einkristalls in einem konusförmigen Abschnitt auf einen Solldurchmesser, umfassend das Absenken der Kristallhubgeschwindigkeit von einer Anfangsgeschwindigkeit auf eine untere Kristallhubgeschwindigkeit, die mindestens 40% niedriger ist als die Anfangsgeschwindigkeit, und das Anheben der Kristallhubgeschwindigkeit von der unteren Kristallhubgeschwindigkeit auf eine Endgeschwindigkeit, mit der der Keimkristall beim Erreichen des Solldurchmessers angehoben wird, wodurch im konusförmigen Abschnitt eine Krümmungsumkehr einer Wachstumsfront des Einkristalls bewirkt wird.
申请公布号 DE102009024473(B4) 申请公布日期 2015.11.26
申请号 DE20091024473 申请日期 2009.06.10
申请人 SILTRONIC AG 发明人 BÄR, MARKUS
分类号 C30B15/20 主分类号 C30B15/20
代理机构 代理人
主权项
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