Verfahren zum Herstellen eines nanostrukturierten lichtemittierenden Halbleiterelements

摘要

Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Nanostrukturhalbleitervorrichtung bereitgestellt, umfassend ein: Bilden einer Maske mit einer Mehrzahl von Öffnungen auf einer Basisschicht; Wachsen einer Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp auf freiliegenden Bereichen der Basisschicht, so dass die Mehrzahl von Öffnungen gefüllt werden, um eine Mehrzahl von Nanokernen zu bilden; teilweises Entfernen der Maske, so dass Seitenoberflächen der Mehrzahl von Nanokerne freigelegt werden; Wärmebehandeln der Mehrzahl von Nanokernen nach dem teilweisen Entfernen der Maske; sequenzielles Wachsen einer aktiven Schicht und einer Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf Oberflächen der Mehrzahl von Nanokernen, um nach der Wärmebehandlung eine Mehrzahl von lichtemittierenden Nanostrukturen zu bilden; und ein Planarisieren oberer Teile der Mehrzahl von lichtemittierenden Nanostrukturen, so dass obere Oberflächen der Nanokerne freigelegt werden.