| 摘要 |
<p>Kapazitive Sensoreinheit mit mindestens einer elektrisch leitender Fläche (10, 11, 12, 13), die in oder auf einer Gehäusewand (1) angeordnet ist bzw. sind, die aus einem elektrisch nicht leitenden Material besteht bzw. bestehen, wobei die mindestens eine elektrisch leitende Fläche (2; 10, 11, 12, 13) unter Anwendung der MID- (Molded Interconnect Device) -Technologie hergestellt ist bzw. sind und wobei die mindestens eine elektrisch leitende Fläche (2; 10, 11, 12, 13) näher zu einer Innenseite (3) der Gehäusewand (1) angeordnet ist bzw. sind, so dass eine isolierende Schicht zwischen der mindestens einen elektrisch leitenden Fläche (2; 10, 11, 12, 13) und einer Aussenseite (4) der Gehäusewand (1) vorhanden ist.</p> |
