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Verfahren zum Ankontaktieren eines Bauelements (30) in einer Leiterplattenschichtabfolge (10) mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines Bauelements (30) mit Kontaktflächen (34, 36, 38) aus einem Metallmaterial, das nicht Kupfer ist; Herstellen eines Schichtabfolgelaminats (10) mit eingebettetem Bauelement; Erzeugen von einem oder mehreren Löchern (V1, V2, VL) in einer Oberfläche des Schichtabfolgelaminats (10) zum zumindest partiellen Freilegen der Kontaktflächen (34, 36, 38) des Bauelements (30); Behandeln von Oxidschichten (35, 37) auf den freigelegten Kontaktflächen (34, 36), Aufbringen einer Basismetallschicht (40) und Durchführen eines Galvanisierungsprozesses zum Verstärken der Basismetallschicht (40) mit einer Kupferschicht (42). Leiterplatte mit einem Leiterplattenschichtaufbau (10) und darin eingebrachtem Bauelement (30), wobei das Bauelement (30) mindestens eine Kontaktfläche (34, 36, 38) aufweist, die über mindestens ein Sackloch (V1, V2, VL) ankontaktiert ist, wobei die Kontaktfläche (34, 36, 38) im Bereich des mindestens einen Vias (V1, V2, VL) eine Schicht aus metallischem Material aufweist, das nicht Kupfer ist, an die sich direkt und ohne Vorhandensein einer Metalloxidschicht (35, 37) eine Basismetallschicht (40) anschließt, die durch aufgalvanisiertes Kupfer (42) verstärkt ist. |
